CVD的反应速度取决于质量传输和表面反应两个 因素。温度升高会促使表面反应速度增加。在质 量传输阶段淀积工艺对温度不敏感，这意味着无 论温度如何，传输到硅片表面加速反应的反应气 体的量都不足。在此情况下，CVD工艺反应速度 通常是受质量传输所限制的。 在更低的反应温度下，由于只有更少的能量来驱 动表面反应，表面反应速度会降低。最终反应物 达到硅片表面的速度将超过表面化学反应的速度。 在这种情况下，淀积速度是受化学反应速度限制 的，此时称表面反应控制限制。
（5）CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需 要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、 非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等
在这个系统中沉积室(deposition chamber) 是由石英管(quartz tube)所构成，而芯片 则是竖立于一个特制的固定架上，可以 扩大装片量。 在LPCVD系统中须要安装一个抽真空系 统，使沉积室内保持在所设定的低压状 况，并且使用压力计来监控制程压力
LPCVD系统的优点：具有优异的薄膜均匀度， 以及较佳的阶梯覆盖能力，并且可以沉积大 面积的芯片； LPCVD的缺点：沉积速率较低，而且经常使 用具有毒性、腐蚀性、可燃性的气体。 由于LPCVD所沉积的薄膜具有较优良的性质， 因此在集成电路制程中LPCVD是用以成长单 晶薄膜及其对品质要求较高的薄膜。
CVD技术可分为APCVD，LPCVD，PECVD，HDPCVD， SAPCVD （sub atmosphere pressure CVD）和 MOCVD等。 APCVD生长速率快，但成膜均匀性不好，容易 产生影响薄膜质量的微粒，基本不应用于集成 电路制造。LPCVD反应系统一般要求温度在 650℃以上，不能应用到后段。 后段工艺中薄膜生长的反应温度较低，需引入 额外的非热能能量或降低反应所需激活能以得 到足够反应能量。
经过数十年的发展，CVD已经成为半导体 生产过程中最重要的薄膜沉积方法。PVD的 应用大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几 乎所有的半导体元件所需要的薄膜，不论是导 体，半导体，或者绝缘介电材料，都可以沉积。
在目前的VLSI生产过程中，除了某些材料 因特殊原因还在用溅镀法之外，如铝硅铜合金 及钛等，所有其他的薄膜均用CVD法来沉积。
在化学气相淀积中，气体先驱物传输到硅 片表面进行吸附作用和反应。例如，下面的三个
反应。反应1）显示硅烷首先分解成SiH2 (硅乙 烯 )先 驱物 。 SiH2先 驱物 再和 硅烷 反应 形成 Si2H6 (乙硅烷 ) 。在中间CVD反应中， SiH2随
着Si2H6被吸附在硅片表面。然后Si2H6分解形成 最终需要的固态硅膜。
薄膜是指一种在衬底上生长的薄固体物质。如果一 种固体物质具有三维尺寸，那么薄膜是指一维尺寸 远远小于两外两维上的尺寸。
在硅片加工中可以接受的薄膜，必须具备需要的膜特性。 为了满足器件的性能，可以接受的薄膜一般具有如下特性
好的台阶覆盖能力 填充高的深宽比间隙的能力 好的厚度均匀性 高纯度和高密度 受控制的化学剂量 高度的结构完整性和低的膜应力 好的电学特性 对衬底材料或下层膜好的黏附性
我们期望薄膜在硅片表面上厚度一致，如果 淀积的膜在台阶上过渡的变薄，就容易导致高 的膜应力、电短路或在器件中产生不希望的诱 生电荷。膜的应力要尽可能的小，因为应力还 可能导致衬底发生凸起或凹陷的变形。
常压化学气相淀积(APCVD/NPCVD)是指 在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法， 这是化学气相淀积最初所采用的方法。
APCVD的缺点： 1.硅片水平放置，量产受限，易污染。 2.反应速度受多种因素影响，反应室尺寸、
高深宽比间隙难淀积均匀厚度的膜。随着集成电路 特征尺寸的不断减小，对于高深宽比间隙的均匀、 无空洞的填充淀积工艺显得至关重要。
（1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点。因此减 轻了衬底片的热形变，抑制了缺陷生成; 设备简单， 重复性好；
（3）淀积速率一般高于PVD（物理气相淀积，如 蒸发、溅射等），效率高；厚度范围广，由几百埃 至数毫米，可以实现厚膜淀积，且能大量生产；
随着半导体工艺特征尺寸的减小，对薄 膜的均匀性要求及膜厚的误差要求不断提 高，出现了低压化学气相淀积(LPCVD)。 低压化学气相淀积是指系统工作在较低的 压强下(一般在100Pa以下)的一种化学气 相淀积的方法。LPCVD技术不仅用于制备 硅外延层，还广泛用于各种无定形钝化 膜及多晶硅薄膜的淀积，是一种重要的薄 膜淀积技术。
较为常见的CVD薄膜包括有： 二氧化硅（通常直接称为氧化层）、 氮化硅、
任何一个CVD系统都会有一个反应室，它是CVD 设备的心脏部位。另外还有一组气体传送系统、 排气系统、工艺控制系统
硅烷SiH4和三氯氧磷POCL3在氮气的携带 下进入淀积反应室，与氧气进行反应
用CVD方法淀积薄膜，实际上是从气相中 生长晶体的复相物理－化学过程 影响薄膜质量和沉积速率的参数：反应气 体流量，反应压力，腔室温度，是否掺杂 及掺杂数量等
参加反应的气体混合物被输送到衬底表面 反应物分子由主气流扩散到衬底表面 反应物分子吸附在衬底表面 吸附分子与气体分子之间发生化学反应 反应副产物分子从衬底表面解析 副产物分子由衬底表面外扩散到主气体流 中，然后被排出淀积区
基本上，集成电路是由数层材质不同的薄 膜组成，而使这些薄膜覆盖在硅晶片上的技 术，便是所谓的薄膜沉积及薄膜成长技术－ －薄膜淀积
淀积：就是指薄膜材料的沉积和生长等技 术，指一种材料以物理方式沉积在晶圆表面 上的工艺过程。
所淀积的薄膜可以是导体、绝缘材料或者 半导体材料。比如二氧化硅（SiO2）、氮化 硅（Si3N4）、多晶硅以及金属（Cu、W）
化学气相淀积Si3N4 ，一般是使含硅的化合物蒸汽在 高温下发生化学反应，并在基片表面淀积一层Si3N4 膜，常用的几种化合物反应如下： 硅烷和氨气反应：
化学气相沉积是利用气态化合物或化合物的混合物在 基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成 不挥发的涂层。 CVD的基本方面包括：
气体流速、硅片位置等都会影响速度。 3．均匀性不太好，所以APCVD一般用在厚 的介质淀积。 APCVD系统的优点: 具有高沉积速率，可达6000～10000埃/min
在大气压状况下，气体分子彼此碰撞机率很高，因 此很容易会发生气相反应，使得所沉积的薄膜中会 包含微粒。通常在集成电路制程中。APCVD只应用 于成长保护钝化层。
常用的CVD技术有： (1) 常压化学气相淀积（APCVD）； (2) 低压化学气相淀积（LPCVD）； (3)等离子体辅助 CVD 等离子体增强 CVD（PECVD） 高密度等离子体 CVD（HDPCVD） 另外还有次常压化学气相淀积SAPCVD （sub
层达到表面的扩散作用会显著增加。这会增加反应 物到衬底的输运。在CVD反应中低压的作用就是使 反应物更快地到达衬底表面。在这种情况下，速度 限制将受约于表面反应，即在较低压下CVD工艺速 度是受反应速度限制的。 CVD 过程中的掺杂 CVD淀积过程中，在SiO2中掺入杂质对硅片加工来 说也是很重要。例如，在淀积SiO2的过程中，反应 气体中加入PH3后，会形成磷硅玻璃。
当化合物在反应腔中混合并进行反应时，就会发生化学 气相淀积过程。原子或分子会淀积在硅片表面行成膜
1. 高温分解： 通常在无氧的条件下，通过加热化 合物分解（化学键断裂）；
2. 光分解： 利用辐射使化合物的化学键断裂分解； 3. 还原反应： 反应物分子和氢发生的反应； 4. 氧化反应： 反应物原子或分子和氧发生的反应； 5. 氧化还原反应： 反应3与4地组合，反应后形成两